MOSFET与IGBT的区别与应用

MOSFET和IGBT都是常用的功率半导体器件，了解它们的区别有助于正确选型。

MOSFET特点

金属氧化物半导体场效应管，输入阻抗极高，驱动功率小。开关速度快，适合高频应用。导通电阻较大，导通损耗较大。

IGBT特点

绝缘栅双极型晶体管，结合了MOSFET和BJT的优点。导通压降低，导通损耗小。开关速度较慢，适合中低频应用。

应用区别

MOSFET适用于高频开关电源、同步整流、电机驱动等。IGBT适用于变频器、逆变器、高压直流输电等大功率场合。

选型要点

根据工作频率选择：高频用MOSFET，中低频用IGBT。根据功率大小选择：小功率用MOSFET，大功率用IGBT。根据电压等级选择：低压用MOSFET，高压用IGBT。